《核、化學(xué)武器損傷》 三、染色體畸變

細(xì)胞在分裂過程中染色體的數(shù)量和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化稱為染色體畸變（chromosomeaberration）。畸變可以自然發(fā)生，稱自發(fā)畸變(spontaneous aberration)。許多物理、化學(xué)因素和病毒感染可使畸變率增高。電離輻射是畸變誘發(fā)因素，其原因是電離粒子穿透染色體或其附近時(shí)，使染色體分子電離發(fā)生化學(xué)變化而斷裂。

（一）染色體數(shù)量變化

照射時(shí)染色體發(fā)生粘著，在細(xì)胞分裂時(shí)可能產(chǎn)生染色體不分離現(xiàn)象，致使兩個(gè)子細(xì)胞中染色體不是平均分配，生成非整倍體（aneuploid）細(xì)胞。

（二）染色體結(jié)構(gòu)變化

1．染色體型畸變：當(dāng)染色體在復(fù)制之前受照射（即細(xì)胞處于G1期或S期初期受照射），染色體發(fā)生畸變之后再進(jìn)行復(fù)制，稱染色體型畸變。斷片、著絲粒環(huán)、雙著絲粒體、相互易位、倒位及缺失等畸變屬于這一類（圖3-4）。

圖3-4 某些染色體畸變形成示意圖

（1）斷片，?。?）雙著絲點(diǎn)?。?）環(huán)

2．染色單體型畸變：當(dāng)染色體復(fù)制之后受照射（即細(xì)胞處于S期后期或G2期受照射），在一個(gè)染色單體臂上發(fā)生斷裂或裂隙，稱為染色單體型畸變（chromatid aberration）。單體斷片、單體互換等屬這一類。

電離輻射誘發(fā)的畸變以染色體型畸變?yōu)橹?，尤以斷片，環(huán)和雙著絲粒體等畸變，在反映輻射效應(yīng)的程度方面更有意義。