《醫(yī)學免疫學》 第四節(jié) 免疫記憶

用同一抗原再次免疫時，可引起比初次更強的抗體產生，稱之為再次免疫應答或免疫記憶，無論在體液免疫或細胞免疫均可發(fā)生免疫記憶現(xiàn)象。在體液免疫時，對TD抗原的再次應答可表現(xiàn)為抗體滴度明顯上升，免疫球蛋白類別可由IgM轉換為IgG，而且抗體親和力增強。提示再次應答不僅發(fā)生抗體量的變化，而且也發(fā)生了質的變化。實驗證明，免疫記憶的基礎是免疫記憶細胞的產生。

一、免疫記憶細胞

在載體-半抗原效應的研究中，已證明T細胞及B細胞都與免疫記憶有關。即在免疫應答過程中，既能產生B記憶細胞（Bm）,也能產生TH記憶（THm）。免疫記憶現(xiàn)象可以解釋為對特異抗原應答的淋巴細胞數(shù)量增加的現(xiàn)象。

用有限稀釋法計數(shù)在載體-半抗原效應中免疫記憶細胞的數(shù)量變化，發(fā)現(xiàn)在T細胞群中對載體特異的T細胞輔助活性比初次應答可增強10倍。這不僅是由于TH細胞數(shù)量的增加，也反映了TH功能的增強所致。

有相同方法也證明了在再次應答中對半抗原特異的細胞數(shù)量亦增加，由其產生抗體性質的變化，表明B記憶細胞也伴隨有質的變化。關于前進B細胞（Bp）、成熟B細胞（Bv）、記憶B細胞（Bm）的特性可見表11-8。

表11-8 Bp、Bv、Bm細胞的特性

BpBvBm更新速率快（數(shù)日）快（數(shù)日）慢（數(shù)月～數(shù)周）再循環(huán)無無有組織分布胚胎期肝、脾－－成年期骨髓骨髓、脾、淋巴節(jié)胸導管、脾、淋巴結耐受性產生易難難對抗原親和力－低高過繼抗體產生慢（2～3周）快（1～3周）快（1周）電泳遷移率－快慢

二、免疫球蛋白類別的轉換

在初次應答時開始出現(xiàn)的抗體是IgM，當達到高峰時才開始出現(xiàn)IgG，而IgG高峰雖出現(xiàn)較晚，但能維持較長時間。在再次應答時產生IgG的潛伏期明顯縮短，水平更高。

這種由IgM轉換為IgG只是Ig分子的類別變化，其識別抗原的特異性則仍相同。表明這二類Ig分子V區(qū)結構相同，只是C區(qū)結構發(fā)生了變化。實驗證明，給新生小鼠注入抗μ血清，可抑制IgG和IgM的產生，提示這種轉換可能是由產生IgM的細胞變?yōu)楫a生IgG的細胞，而不是由不同亞群的B細胞產生的。

三、抗體親和力的變化

在抗體生成過程中，抗體分子的平均親和力隨著時間的延長而增加，這種現(xiàn)象稱為抗體分子親和力的成熟。實驗證明，在免疫應答過程中，IgG的親和力可增加達數(shù)百倍。這種親和力的成熟現(xiàn)象，被認為是由于存在具有不同親和力Ig受體的B細胞。在免疫應答初期可因存在較大量的游離抗原分子，因此與低親和力受體的B細胞結合較多，故其所產生抗體分子的平均親和力較低。當抗原量逐漸減少時，則與帶有高親和力受體細胞的結合多于低親和力受體細胞，因之抗體分子的平均親和力隨時延長而增高。